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DTD123TSTP
| Hersteller: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Datenblatt: | DTD123TSTP |
| Beschreibung: | TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ROHM Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Serie | - |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 300mW |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | SC-72 Formed Leads |
| Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
| Basis-Teilenummer | DTD123 |
| Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | SPT |
| Vce Sättigung (Max.) | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 500mA |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 100 @ 50mA, 5V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 40V |
Auf Lager 93 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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