Image is for reference only , details as Specifications
DTC363EUT106
| Hersteller: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Datenblatt: | DTC363EUT106 |
| Beschreibung: | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ROHM Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Serie | - |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 200mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
| Basis-Teilenummer | DTC363 |
| Widerstand - Basis (R1) | 6.8 kOhms |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | UMT3 |
| Widerstand - Emitter-Basis (R2) | 6.8 kOhms |
| Vce Sättigung (Max.) | 80mV @ 2.5mA, 50mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 600mA |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 70 @ 50mA, 5V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 20V |
Auf Lager 98 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
Anforderungsangebot
Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Bargain Finds
