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DTC314TUT106

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: DTC314TUT106
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Basis-Teilenummer DTC314
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms
Frequenz - Übergang 200MHz
Lieferanten-Gerätepaket UMT3
Vce Sättigung (Max.) 80mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 600mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 100 @ 50mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 15V

Auf Lager 55 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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