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DTC123TKAT146

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: DTC123TKAT146
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Not For New Designs
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Basis-Teilenummer DTC123
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms
Frequenz - Übergang 250MHz
Lieferanten-Gerätepaket SMT3
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 100 @ 1mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 2990 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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