DTC115GUAT106
Hersteller: | ROHM Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Datenblatt: | DTC115GUAT106 |
Beschreibung: | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ROHM Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Serie | - |
Verpackung | Digi-Reel® |
Teilstatus | Not For New Designs |
Leistung - Max | 200mW |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Basis-Teilenummer | DTC115 |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Lieferanten-Gerätepaket | UMT3 |
Widerstand - Emitter-Basis (R2) | 100 kOhms |
Vce Sättigung (Max.) | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 82 @ 5mA, 5V |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 50V |
Auf Lager 515 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1