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DTB513ZMT2L

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: DTB513ZMT2L
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 150mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-723
Transistortyp PNP - Pre-Biased
Basis-Teilenummer DTB513
Widerstand - Basis (R1) 1 kOhms
Frequenz - Übergang 260MHz
Lieferanten-Gerätepaket VMT3
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 10 kOhms
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 500mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 140 @ 100mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 12V

Auf Lager 67 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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