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DTB123YCHZGT116

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: DTB123YCHZGT116
Beschreibung: PNP -500MA -50V DIGITAL TRANSIST
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie Automotive, AEC-Q101
Verpackung Cut Tape (CT)
Teilstatus Active
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp PNP - Pre-Biased + Diode
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms
Frequenz - Übergang 200MHz
Lieferanten-Gerätepaket SST3
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 10 kOhms
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 500mA
Strom - Collector Cutoff (Max) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 56 @ 50mA, 5V

Auf Lager 2900 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.20 $0.20 $0.19
Minimale: 1

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