Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

DTA114TUAT106

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: DTA114TUAT106
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Transistortyp PNP - Pre-Biased
Basis-Teilenummer DTA114
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms
Frequenz - Übergang 250MHz
Lieferanten-Gerätepaket UMT3
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 100 @ 1mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 59 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

RN2404,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
DTA015EEBTL
ROHM Semiconductor
$0
PDTC114TM,315
Nexperia USA Inc.
$0
MUN5133T1G
ON Semiconductor
$0
RN1115MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
$0