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BSM600C12P3G201

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSM600C12P3G201
Beschreibung: BSM600C12P3G201 IS A CHOPPER MOD
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tray
Vgs (Max.) +22V, -4V
Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Chassis Mount
Paket / Fall Module
Vgs(th) (Max) @ Id 5.6V @ 182mA
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs -
Verlustleistung (Max.) 2460W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket Module
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 28000pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 600A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) -

Auf Lager 68 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1,120.00 $1,097.60 $1,075.65
Minimale: 1

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