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BSM180C12P2E202
| Hersteller: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | BSM180C12P2E202 |
| Beschreibung: | BSM180C12P2E202 IS A SIC (SILICO |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ROHM Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tray |
| Vgs (Max.) | +22V, -6V |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 35.2mA |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | - |
| Verlustleistung (Max.) | 1360W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | Module |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 20000pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 204A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Auf Lager 4 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $560.00 | $548.80 | $537.82 |
Minimale: 1
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