Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

BR25G512FVT-3GE2

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: BR25G512FVT-3GE2
Beschreibung: SPI BUS EEPROM
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Technologie EEPROM
Speichergröße 512Kb (64K x 8)
Speichertyp Non-Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat EEPROM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Taktfrequenz 10MHz
Speicherschnittstelle SPI
Spannung - Versorgung 1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 8-TSSOP-B
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms

Auf Lager 4052 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

25LC320AT-E/MS
Lanka Micro
$0
24LC128T-E/MS
Lanka Micro
$0
BR93H76RF-WCE2
ROHM Semiconductor
$0
BR93A66RFVM-WMTR
ROHM Semiconductor
$0
BR93A46RF-WME2
ROHM Semiconductor
$0