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BR25G128F-3GE2

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: BR25G128F-3GE2
Beschreibung: SPI BUS EEPROM
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Cut Tape (CT)
Technologie EEPROM
Speichergröße 128Kb (16K x 8)
Speichertyp Non-Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat EEPROM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Taktfrequenz 20MHz
Speicherschnittstelle SPI
Spannung - Versorgung 1.6V ~ 5.5V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOP
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms

Auf Lager 2143 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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