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BR25A512FVT-3MGE2

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: BR25A512FVT-3MGE2
Beschreibung: 105°C OPERATION SPI BUS EEPR
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Technologie EEPROM
Speichergröße 512Kb (64K x 8)
Speichertyp Non-Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat EEPROM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Taktfrequenz 10MHz
Speicherschnittstelle SPI
Spannung - Versorgung 2.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 8-TSSOP-B
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms

Auf Lager 2954 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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