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BC857BHZGT116

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: BC857BHZGT116
Beschreibung: PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp PNP
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 250MHz
Lieferanten-Gerätepaket SST3
Vce Sättigung (Max.) 650mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 210 @ 2mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 45V

Auf Lager 74 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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