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2SCR586D3TL1

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2SCR586D3TL1
Beschreibung: POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 10W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 200MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-252
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 100mA, 2A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 5A
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 120 @ 500mA, 3V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 80V

Auf Lager 2583 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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