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HYB25D128800CE-6

Hersteller: Qimonda
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: HYB25D128800CE-6
Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Qimonda
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Cut Tape (CT)
Technologie SDRAM - DDR
Speichergröße 128Mb (16M x 8)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Speicherformat DRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Taktfrequenz 166MHz
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 2.3V ~ 2.7V
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 66-TSOP II
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -

Auf Lager 94 pcs

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