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UNR5113G0L

Hersteller: Panasonic Electronic Components
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: UNR5113G0L
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Panasonic Electronic Components
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 150mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-85
Transistortyp PNP - Pre-Biased
Widerstand - Basis (R1) 47 kOhms
Frequenz - Übergang 80MHz
Lieferanten-Gerätepaket SMini3-F2
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 47 kOhms
Vce Sättigung (Max.) 250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 80 @ 5mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 2690 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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