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UNR412100A

Hersteller: Panasonic Electronic Components
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: UNR412100A
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Panasonic Electronic Components
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Cut Tape (CT)
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 300mW
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall 3-SSIP
Transistortyp PNP - Pre-Biased
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms
Frequenz - Übergang 200MHz
Lieferanten-Gerätepaket NS-A1
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 2.2 kOhms
Vce Sättigung (Max.) 250mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 500mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 40 @ 100mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 56 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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