Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

UNR32A0G0L

Hersteller: Panasonic Electronic Components
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: UNR32A0G0L
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Panasonic Electronic Components
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 100mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-723
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Widerstand - Basis (R1) 47 kOhms
Frequenz - Übergang 150MHz
Lieferanten-Gerätepaket SSSMini3-F1
Vce Sättigung (Max.) 250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 80mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 160 @ 5mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 19425 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

DDTC142JE-7-F
Diodes Incorporated
$0
DDTB142JC-7-F
Diodes Incorporated
$0
RN2317(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN1310(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN1312(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0