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DRA5123J0L
| Hersteller: | Panasonic Electronic Components |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Datenblatt: | DRA5123J0L |
| Beschreibung: | TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Panasonic Electronic Components |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Serie | - |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 150mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-85 |
| Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
| Basis-Teilenummer | DRA5123 |
| Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
| Lieferanten-Gerätepaket | SMini3-F2-B |
| Widerstand - Emitter-Basis (R2) | 47 kOhms |
| Vce Sättigung (Max.) | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 80 @ 5mA, 10V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 50V |
Auf Lager 2820 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.49 | $0.48 | $0.47 |
Minimale: 1
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