Image is for reference only , details as Specifications

DRA2L14Y0L

Hersteller: Panasonic Electronic Components
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: DRA2L14Y0L
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Panasonic Electronic Components
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp PNP - Pre-Biased
Basis-Teilenummer DRA2L14
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms
Lieferanten-Gerätepaket Mini3-G3-B
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 47 kOhms
Vce Sättigung (Max.) 1.2V @ 330µA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 80 @ 5mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 30V

Auf Lager 2990 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

NSBC124EF3T5G
ON Semiconductor
$0
DTC114TMT2L
ROHM Semiconductor
$0
DDTA144WE-7
Diodes Incorporated
$0.38
DTD513ZMGT2L
ROHM Semiconductor
$0.38
SMMUN2213LT3G
ON Semiconductor
$0