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DRA2123J0L

Hersteller: Panasonic Electronic Components
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: DRA2123J0L
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Panasonic Electronic Components
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp PNP - Pre-Biased
Basis-Teilenummer DRA2123
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms
Lieferanten-Gerätepaket Mini3-G3-B
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 47 kOhms
Vce Sättigung (Max.) 250mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 80 @ 5mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 5990 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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