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UMZ1NT1G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: UMZ1NT1G
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SOT363
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 250mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistortyp NPN, PNP
Basis-Teilenummer UMZ1N
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 114MHz, 142MHz
Lieferanten-Gerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363
Vce Sättigung (Max.) 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 200mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 2µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 200 @ 2mA, 6V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 12476 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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