Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
SMUN5216DW1T1G
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Datenblatt: | SMUN5216DW1T1G |
| Beschreibung: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Serie | - |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 187mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Basis-Teilenummer | MUN52**DW1T |
| Widerstand - Basis (R1) | 4.7kOhms |
| Frequenz - Übergang | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Widerstand - Emitter-Basis (R2) | - |
| Vce Sättigung (Max.) | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 160 @ 5mA, 10V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 50V |
Auf Lager 2900 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.47 | $0.46 | $0.45 |
Minimale: 1
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