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SMMJT350T3G
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt: | SMMJT350T3G |
| Beschreibung: | BIP S0T223 PNP 0.5A 300V |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 2.75W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Transistortyp | PNP |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Frequenz - Übergang | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | SOT-223 (TO-261) |
| Vce Sättigung (Max.) | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 500mA |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 30 @ 50mA, 10V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 300V |
Auf Lager 88 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.17 | $0.17 | $0.16 |
Minimale: 1
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