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S1JVNJD2873T4G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: S1JVNJD2873T4G
Beschreibung: TRANSISTOR PNP BIPO
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 1.68W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ)
Frequenz - Übergang 65MHz
Lieferanten-Gerätepaket DPAK
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 50mA, 1A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 2A
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 120 @ 500mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 54 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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