Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
PN100_G
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt: | PN100_G |
| Beschreibung: | INTEGRATED CIRCUIT |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 625mW |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Transistortyp | NPN |
| Basis-Teilenummer | PN100 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-92-3 |
| Vce Sättigung (Max.) | 400mV @ 20mA, 200mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 500mA |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 50nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 100 @ 150mA, 5V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 45V |
Auf Lager 69 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
Anforderungsangebot
Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Bargain Finds
