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NVMYS4D1N06CLTWG

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NVMYS4D1N06CLTWG
Beschreibung: T6 60V LL LFPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-1023, 4-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 80µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.7W (Ta), 79W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket LFPAK4 (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max.) 34nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2200pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 22A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 63 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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