NVMYS2D1N04CLTWG
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | NVMYS2D1N04CLTWG |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 40V 139A |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-1023, 4-LFPAK |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 90µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 2.5mOhm @ 50A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 3.9W (Ta), 83W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | LFPAK4 (5x6) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 50nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 3100pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 29A (Ta), 132A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 73 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.58 | $0.57 | $0.56 |
Minimale: 1