NVMFS6B85NLWFT1G
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | NVMFS6B85NLWFT1G |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±16V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 46mOhm @ 10A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 3.5W (Ta), 42W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 7.9nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 480pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 5.6A (Ta), 19A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 68 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1