NVMFD6H852NLWFT1G
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | NVMFD6H852NLWFT1G |
Beschreibung: | FET NCH 80V |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 26µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 25.5mOhm @ 10A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 3.2W (Ta), 38W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 10nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 521pF @ 40V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 7A (Ta), 25A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 60 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.54 | $0.53 | $0.52 |
Minimale: 1