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NVMFD6H852NLWFT1G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NVMFD6H852NLWFT1G
Beschreibung: FET NCH 80V
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 26µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 25.5mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Gate Charge (Qg) (Max.) 10nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 521pF @ 40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7A (Ta), 25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 60 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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