NVHL080N120SC1
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | NVHL080N120SC1 |
Beschreibung: | SIC MOS TO247-3L 80MW 120 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
FET-Typ | N-Channel |
Vgs (Max.) | +25V, -15V |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 5mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 110mOhm @ 20A, 20V |
Verlustleistung (Max.) | 348W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-247-3 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 56nC @ 20V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1670pF @ 800V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 44A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Auf Lager 178 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$15.66 | $15.35 | $15.04 |
Minimale: 1