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NVF2955PT1G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NVF2955PT1G
Beschreibung: MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 185mOhm @ 2.4A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-223
Gate Charge (Qg) (Max.) 14.3nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 492pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 54 pcs

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