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NVD5C688NLT4G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NVD5C688NLT4G
Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 27.4mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (Max.) 18W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DPAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 3.4nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 400pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 1583 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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