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NVD5863NLT4G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NVD5863NLT4G
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 7.1mOhm @ 41A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.1W (Ta), 96W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DPAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 70nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3850pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 14.9A (Ta), 82A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 85 pcs

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