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NVD5807NT4G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NVD5807NT4G
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 31mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 33W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DPAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 20nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 603pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 23A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 568 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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