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NVD3055L170T4G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NVD3055L170T4G
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±15V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 170mOhm @ 4.5A, 5V
Verlustleistung (Max.) 1.5W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket DPAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 10nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 275pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V

Auf Lager 1347 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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