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NVB6412ANT4G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NVB6412ANT4G
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 18.2mOhm @ 58A, 10V
Verlustleistung (Max.) 167W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D2PAK-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 100nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3500pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 58A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 93 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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