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NTMYS3D3N06CLTWG

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NTMYS3D3N06CLTWG
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.9W (Ta), 100W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket LFPAK4 (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max.) 40.7nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2880pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 26A (Ta), 133A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 87 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.73 $0.72 $0.70
Minimale: 1

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