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NTMS4101PR2

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NTMS4101PR2
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 19mOhm @ 6.9A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.38W (Tj)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max.) 32nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3200pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

Auf Lager 88 pcs

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