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NTMS10P02R2G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NTMS10P02R2G
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 14mOhm @ 10A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.6W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max.) 70nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3640pF @ 16V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

Auf Lager 2779 pcs

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