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NTMD6N02R2G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: NTMD6N02R2G
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 730mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Teilenummer NTMD6N02
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 35mOhm @ 6A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max.) 20nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1100pF @ 16V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.92A

Auf Lager 4948 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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