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NTLJS4159NT1G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NTLJS4159NT1G
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6DFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 35mOhm @ 2A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 700mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 6-WDFN (2x2)
Gate Charge (Qg) (Max.) 13nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1045pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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