Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
NTLJS1102PTBG
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | NTLJS1102PTBG |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max.) | ±6V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 720mV @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 36mOhm @ 6.2A, 4.5V |
| Verlustleistung (Max.) | 700mW (Ta) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 6-WDFN (2x2) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 25nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1585pF @ 4V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3.7A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Auf Lager 62 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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