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NTLJD3115PT1G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: NTLJD3115PT1G
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 710mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad
Basis-Teilenummer NTLJD3115P
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 100mOhm @ 2A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket 6-WDFN (2x2)
Gate Charge (Qg) (Max.) 6.2nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 531pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.3A

Auf Lager 1354 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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