Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
NTLJD2105LTBG
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | NTLJD2105LTBG |
| Beschreibung: | MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| FET-Funktion | Standard |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 520mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 50mOhm @ 4A, 4.5V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 6-WDFN (2x2) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | - |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.5A |
Auf Lager 57 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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