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NTJD1155LT1G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: NTJD1155LT1G
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ N and P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 400mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Basis-Teilenummer NTJD1155
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363
Gate Charge (Qg) (Max.) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. -
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.3A

Auf Lager 53196 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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