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NTHS2101PT1G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NTHS2101PT1G
Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -
Rds On (Max) bei Id, Vgs 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.3W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket ChipFET™
Gate Charge (Qg) (Max.) 30nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2400pF @ 6.4V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5.4A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

Auf Lager 57 pcs

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