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NTHL080N120SC1
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | NTHL080N120SC1 |
| Beschreibung: | SIC MOS TO247 80MW 1200V |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Vgs (Max.) | +25V, -15V |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 5mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 110mOhm @ 20A, 20V |
| Verlustleistung (Max.) | 348W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-247-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 56nC @ 20V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1670pF @ 800V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 44A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Auf Lager 443 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $17.64 | $17.29 | $16.94 |
Minimale: 1
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