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NTGS1135PT1G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NTGS1135PT1G
Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±6V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 850mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 31mOhm @ 4.6A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 970mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 6-TSOP
Gate Charge (Qg) (Max.) 21nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2200pF @ 6V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V

Auf Lager 82 pcs

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